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作 者:丁嘉瑄[1] 武安华[1] 周娟[1] 徐家跃[1] 范世
机构地区:[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050
出 处:《人工晶体学报》2004年第3期346-349,共4页Journal of Synthetic Crystals
摘 要:采用坩埚下降法生长了Nd3 + 掺杂浓度分别为 15 %、8%和 2 .5 %原子分数的Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体 ,所得晶体最大尺寸为2 6mm× 15mm。Nd3 + 掺杂Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的特征吸收峰波长为 80 6nm ,与Nd3 + 离子在YAG中的特征吸收峰相比 ,向短波方向发生了微小的偏离。这是Sr3 Ga2 Ge4O14 晶格中Ga3 + 和Ge4+ 的统计分布所致。Nd3 + ∶SGG晶体的这些特性将有助于泵浦效率的提高和泵浦阈值的降低 ,因此Nd3 + ∶SGG晶体有望成为一种新型的LD泵浦固体激光材料。Single crystals of Sr_3Ga_2Ge_4O_(14) garnets doped with 15at.%, 8at.% and 2.5at.% Nd^(3+) were grown by modified Bridgman method. Nd^(3+)∶SGG crystal with a dimension of 26mm×15mm was obtained, and its optical absorption spectrum was measured. The characteristics absorption peak is located at 806nm and it broadens and shifts to short wave compared with that of Nd^(3+):YAG crystal. This is attributed to the statistical distribution of Ga^(3+) and Ge^(4+) cations in Sr_3Ga_2Ge_4O_(14) crystal and results in the improvement of pump efficiency and the decrease of pump threshold. It indicated that Nd^(3+): Sr_3Ga_2Ge_4O_(14) crystal is a promising laser crystal.
关 键 词:晶体 吸收光谱 坩埚下降法 Sr3Ga2Ge4O14 激光材料 生长工艺
分 类 号:O782[理学—晶体学] TN244[电子电信—物理电子学]
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