深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型  

An Analytic Model of Boltzmann Equation in Extremely Scaled MOSFETs

作　　者：童建农[1] 邹雪城[1] 沈绪榜[1] 

机构地区：[1]华中科技大学IC设计中心,武汉430074

出　　处：《计算机与数字工程》2004年第5期4-7,共4页Computer & Digital Engineering

摘　　要：深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。An analytic solution model of Boltzmann equation based on physics assumption in extremely scaled MOSFETs is developed and implemented in classical BSIM3v3 model.The CMOSIS is used for the simulation examination.

关 键 词：MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型 

分 类 号：TN403[电子电信—微电子学与固体电子学]