16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化  

Optimization of 16×0.8 nm Si-based SiO_2 Arrayed Waveguide Grating

作　　者：安俊明[1] 李健[1] 郜定山[1] 李建光[1] 王红杰[1] 胡雄伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心

出　　处：《半导体光电》2004年第5期345-348,352,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 0 0 0 0 3 660 2 ) ;国家高技术研究发展计划资助项目(2 0 0 2AA3 1 2 2 60 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6988970 1 )

摘　　要：　对设计的折射率差为0.75%的16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)进行了数值模拟和优化。通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5dB、串扰为-48dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求。The simulation and optimization for designed Si-based SiO_2 AWG with refractive index difference 0.75%, 16×0.8 nm are made using wide angle FD-BPM method. The insertion loss of 1.5 dB and crosstalk of -48 dB are obtained by optimizing the taper at input waveguide and arrayed waveguide, which satisfy the commercial demand.

关 键 词：阵列波导光栅 波分复用 优化 数值模拟 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]