一种增强量子阱混合的新技术  

作　　者：杨格丹[1] 王永晨[1] 赵杰[1] 车经国 张淑云 

机构地区：[1]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074 [2]天津第四半导体器件厂,天津300111

出　　处：《光子技术》2004年第3期132-134,155,共4页Photon Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60276013)

摘　　要：采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。

关 键 词：量子阱 MQW SIO2薄膜 激光器结构 PL谱 快速热退火 蓝移 i-O 测试 电介质 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TN243