硅化铱肖特基势垒列阵——实现长波红外成像的新途径  

IrSi Schottky-Barrier Arrays—A New Way For Long-Wavelength Infrared Imaging

作　　者：王玲杰[1] 赵兴荣[1] 郝建华[1] 

机构地区：[1]华中理工大学光电子工程系,武汉430074

出　　处：《红外技术》1993年第5期12-15,共4页Infrared Technology

摘　　要：硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8～14μm)成像的焦平面技术。本文叙述了硅化铱肖特基势垒列阵的工作原理、结构及关键工艺,并介绍了该器件的发展状况。IrSi Schottky-barrier array is a new developed device for long wavelength (8～14μm) infrared focal plane imaging. In this paper, the basic principles, structure, and key fabrication processes of IrSi Schottky-barrier arrays are discussed. The state of the art of the devices is introduced.

关 键 词：硅化铱 肖特基势垒 红外成像系统 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]