晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺  

Formation of Electroplated Solder Bumps in Wafer Level Packaging

作　　者：杨立功[1] 罗驰[1] 刘欣[1] 刘建华[1] 叶冬[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2004年第5期529-531,共3页Microelectronics

摘　　要：　以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。Based on the research of wafer-level packaging(WLP), the formation process of electrochemically deposited(ECD)solder bumps is described. SnPb solder bumps of 150 μm are prepared using electrochemical deposition, with a uniformity of ±10 μm. The SEM analysis shows that the element content(63/37)of SnPb bumps can be controlled within 5%.

关 键 词：晶圆级封装 电化学淀积 SnPb 焊料凸点 

分 类 号：TN452[电子电信—微电子学与固体电子学]