硅表面直接化学镀镍研究  

作　　者：胡光辉[1] 吴辉煌[1] 杨防祖[1] 

机构地区：[1]厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室,厦门361005

出　　处：《科学通报》2004年第17期1711-1715,共5页Chinese Science Bulletin

摘　　要：演示了n-Si(100)不经预先活化处理, 可在碱性镀液中直接进行化学镀镍. 考察了镀液pH值和温度对镀层中金属颗粒尺寸的影响, 并运用能量耗散谱(EDS)分析了硅表面上化学镀层的元素组成. 发现温度的提高或镀液pH值的降低会使沉积层中的金属颗粒尺寸增大. 根据半导体电化学原理讨论了镍离子在硅表面还原的可能机理, 化学镀镍晶种的形成主要归因于在碱性溶液中Si表面上水分子捕获半导体电子而产生原子氢.

关 键 词：化学镀镍 碱性镀液 化学镀层 晶种 直接 活化处理 pH值 硅表面 电子 水分子 

分 类 号：TQ153[化学工程—电化学工业]