掺杂铌酸锂晶体吸收边的研究  

作　　者：骆素华[1] 孟庆鑫[1] 孙秀冬[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学应用物理系，黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《量子电子学报》2004年第5期690-690,共1页Chinese Journal of Quantum Electronics

关 键 词：掺杂铌酸锂晶体 吸收边 抗光散射 吸收系数 掺杂浓度 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]