栅极偏压对电光聚合物电晕极化的影响  

作　　者：洪建勋[1] 陈建平[2] 李新碗[2] 王义平[2] 周俊鹤[2] 

机构地区：[1]上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室，上海200030 [2]上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室，上海200030

出　　处：《高技术通讯》2004年第10期7-10,共4页Chinese High Technology Letters

摘　　要：实验研究了带栅极的电晕放电极化系统的性能。比较了不同栅极偏压下的电晕放电特性。分析了极化电压、栅极偏压和极化电场分布等相关问题。实验结果显示，栅极偏置电晕放电极化系统的电光聚合物极化效果较无栅极时好得多。

关 键 词：栅极 极化电压 偏压 电特性 偏置 光聚合 电场分布 电极化 电晕放电 电晕极 

分 类 号：TN141[电子电信—物理电子学] TN32