几种基于硅的X射线探测器的新近发展  

作　　者：武志宗[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外》2004年第10期15-19,共5页Infrared

摘　　要：本文介绍了基于硅工艺的几种类型的X射线探测器的原理、结构以及达到 的性能指标。

关 键 词：X射线探测器 二极管 CsI晶体 成像质量 半导体光电材料 

分 类 号：TN29[电子电信—物理电子学]