MOS-FET 18W功率放大器的设计与制作  

作　　者：从余 

出　　处：《实用影音技术》2004年第9期43-46,共4页

摘　　要：本文介绍一款输出级使用导通电阻小的横向大功率MOS-FET2SK2221/2SJ352的立体声反相放大音频功率放大器,其输出功率为18W×2(8Ω).该机的高频驱动能力是迄今为止不曾有的,即使在小音量时也不例外.电路稳定性好、容易制作.并使用成品开关电源,使整个放大器体积小巧.驱动级也采用SEPP电路,电压放大级的第二级采用上下对称的有源负载电路.残留噪声在输入端开路时为0.8mV(未加权)/0.06mV(经JIS-A曲线加权).信噪比非常好.

关 键 词：FET MOS 音频功率放大器 SEPP 电压放大级 导通电阻 立体声 设计与制作 电路稳定性 体积小 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统] TN386