辐射在填充介质管中输运的理论  

作　　者：许琰[1] 赖东显[1] 李双贵[1] 冯庭桂[1] 蓝可[1] 李敬宏[1] 裴文兵[1] 常铁强[1] 

机构地区：[1]北京应用物理与计算数学研究所,北京100088

出　　处：《中国科学（G辑）》2004年第5期525-539,共15页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10135010)国家高技术基金资助项目

摘　　要：利用二维辐射输运程序研究了辐射在填充CH和CH掺铜泡沫介质金管中的传输问题,分析了辐射在光学厚度较薄介质中的传输特征及管壁的影响.在神光-Ⅱ的辐射源条件下,理论分析发现长300μm密度为50mg／cm3CH泡沫柱辐射加热区域的平均光学厚度小于1.不同能量的光子群加热等离子体的位置是不同的,使得热波波阵面没有非线性热传导波温度梯度很陡的特征,电子温度分布有一前伸的"舌头",而输运介质的再发射对传输的影响不大.利用CH泡沫中掺原子比2％的Cu作为输运介质可使光学厚度提高到大于1的水平.还给出了神光-Ⅱ实验模型的数值模拟结果,理论与实验符合得很好.

关 键 词：CH 再发 实验模型 舌头 影响 辐射 泡沫 子群 原子 电子温度 

分 类 号：O532[理学—等离子体物理]