Design Guideline of Ultra Thin Body MOSFET  

超薄体MOSFET的结构优化(英文)

作　　者：王文平[1] 黄如[1] 张国艳[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第10期1227-1232,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4,60 3 0 60 0 5 );国家重点基础研究专项基金 (编号 :2 0 0 0 0 3 65 0 1)资助项目~~

摘　　要：Simulation method is used to provide a guideline f or ultra thin body(UTB) MOSFET designs.Three important parameters of the UTB MOS FE T,i.e.the raised S/D height,Ge mole fraction of the Ge xSi 1-x gate,and the silic on body thickness,are comprehensively analyzed and optimized.The optimal region of feasible Ge mole fraction and the silicon body thickness for low operating po wer device are given.As the simulation results show that through changing Ge mole fraction coupl ed with the silicon body thickness tuning,UTB device with good performance can b e obtained.对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U

关 键 词：ultra thin body MOSFET raised S/D height Ge mole fraction silicon body thicknessEEACC:4250 128 0 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]