Design of Low-Voltage Low Noise Amplifiers with High Linearity  

高线性低电压低噪声放大器的设计(英文)

作　　者：曹克[1] 杨华中[1] 汪蕙[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1364-1369,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 2 5 10 1,90 2 0 70 0 1,90 3 0 70 16) ;国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G19990 3 2 90 3 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 3 AA1Z13 90 )资助项目~~

摘　　要：A CMOS radio frequency low noise amplifier with high linearity and low operation voltage of less than 1.0V is presented.In this circuit,an auxiliary MOSFET in the triode region is used to boost the linearity.Simulation shows that this method can boost the input-referred 3rd-order intercept point with much less power dissipation than that of traditional power/linearity tradeoff solution which pays at least 1dB power for 1dB linearity improvement.It is also shown that the size of the common-gate PMOS transistor needs to be optimized to reduce its loaded input impedance so as not to degrade the linearity due to high voltage gain at its source terminal.The simulation is carried out with TSMC 0.18μm RF CMOS technology and SpectreRF.研究了一种具有高线性的 CMOS低噪声放大器 ,其工作电压可以低于 1V.在这个电路中 ,加一个工作在线性区的辅助 MOS管以提高线性特性 .仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点 ,其代价远小于传统方法为获得1d B线性度改善而必须增加 1d B功耗的代价 .为了降低该电路中的共栅 PMOS管的有载输入阻抗 ,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性 ,必须优化其尺寸 .仿真使用的模型是 TSMC0 .18μm射频 CMOS工艺库 ,仿真工具是 Cadence的 Spectre

关 键 词：LOW-VOLTAGE radio frequency CMOS low noise amplifier LINEARITY 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]