A Novel Polysilicon and Oxide Sandwich Deep Trench with Field Limiting Ring for RF Power Transistors  

射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)

作　　者：齐臣杰[1] 傅军[1] 王军军[2] 刘理天[2] 

机构地区：[1]海南师范大学物理系,海口571158 [2]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1398-1402,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：清华大学"985"基金资助项目 (批准号 :2 0 0 0 0 12 )~~

摘　　要：A vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices.Simulation result shows that nearly 100% breakdown voltage of the plane junction can be realized.提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0

关 键 词：deep trench field limiting ring breakdown voltage 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]