Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法  

AFM Anode Oxidation of Al_2O_3 Nano Patterns on Al/SiO_2/Si

作　　者：焦正[1] 李珍[1] 吴明红[1] 顾建忠[1] 王德庆[1] 

机构地区：[1]上海大学射线应用研究所,上海201800

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1464-1468,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：上海市应用材料研究发展基金 ( No.0 3 18);上海市启明星基金 ( No.0 3 QB14 0 17)资助项目~~

摘　　要：采用 AFM阳极氧化方法 ,在控制 AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下 ,在 Al/Si O2 /Si表面制备了 Al2 O3纳米图形 ,图形最小尺寸为 70 nm .研究了表面吸附水层存在下 AFM阳极氧化机理 .实验结果表明AFM anode oxidation is used to fabricate Al 2O 3 nano patterns on Al/SiO 2/Si.The nano pattern as small as 70nm is fabricated by controlling applied voltage and scanning rate of AFM cantilever.The oxidation mechanism with the existence of surface water layer is discussed.The results show AFM anode oxidation is a possible effective method to prepare metal oxidized semiconductor nano devices.

关 键 词：纳米图形 纳米线 阳极氧化 AFM 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]