一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型  

A Novel Analytical Thermal Model for Temperature Estimation of Multilevel ULSI Interconnects

作　　者：王乃龙[1] 周润德[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1510-1514,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1)~~

摘　　要：研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响 ,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器 (L Tem) .该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型 ,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响 .模拟结果表明 ,考虑了通孔效应以及边缘效应之后 ,金属连线上的温度分布情况有了较大程度上的降低 ,LA novel analytical thermal model for estimating the temperature rise of multilevel ULSI interconnects is presented,and the impact of joule heating,via effect,and heat fringing effect is investigated in details.After considering the via effect and heat fringing effect of multilevel ULSI interconnects,LTem provides more accurate temperature estimation of the multilevel interconnects.

关 键 词：焦耳热 通孔效应 边缘传热效应 热传导 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]