隧道再生大功率半导体激光器模式特性分析  

Mode characteristic analysis of tunnel junction regeneration high-power semiconductor laser

作　　者：鲁鹏程[1] 李建军[1] 邓军[1] 廉鹏[1] 刘莹[1] 崔碧峰[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《功能材料与器件学报》2004年第3期395-398,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家973基金资助项目(G20000683-02);北京市自然科学基金(4032007);国家863计划资助项目(2002AA312070)

摘　　要：利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构。Using effective refractive index method, the modes of tunnel junction regeneration high-power semiconductor laser with two active regions are calculated. Near field and far field of lasing modeare compared with the experimental results. And the lasing model is one step mode, the calculated resultsare in agreement with the measured data. It will be helpful to optimize the waveguide structure in further.

关 键 词：半导体激光器 模式特性 有效折射率法 隧道再生 激射模式 波导结构 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]