浅析MCVD工艺中优化光纤（G.652）损耗的一种方法  

作　　者：唐凤再 

机构地区：[1]江苏法尔胜光子有限公司

出　　处：《网络电信》2004年第5期28-30,共3页Network Telecom

摘　　要：传输损耗是光纤的重要参数．本文阐述了MCVD工艺中优化光纤(G．652)损耗的一种方法．即在光纤预制棒的制作过程中．在近芯包层沉积一定量的二氧化锗．用以降低光纤预制棒芯部和包层的锗的浓度梯度．从而减少高温拉丝过程中在光纤中形成的缺陷．为拉丝工艺提供了一个稳定的工作范围．避免光纤在1310nm和1550nm下产生较高的损耗．并使光纤在1500nm下具有更低的损耗．并对其机理作了简要的分析。

关 键 词：MCVD G.652 光纤预制棒 传输损耗 二氧化锗 包层 拉丝 工艺 机理 降低 

分 类 号：TN818[电子电信—信息与通信工程] TN253