四元合金 A_x~ⅢB_y~ⅢC_(1-x-y)~ⅢD^v 的有序结构  

作　　者：王世范[1] 倪军[1] 顾秉林[1] 

机构地区：[1]清华大学现代应用物理系,北京100084

出　　处：《科学通报》1993年第4期319-322,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：随着分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)、金属有机化学汽相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)和有机金属汽相外延(Organometallic vaporphase epitaxy,OMVPE)等生长技术的出现,大量新型半导体合金和超晶格材料被制成。近年来出现的Ⅲ-V族四元合金因其独特的性能引起了人们广泛的重视。它们作为光电器件的基础材料已得到越来越多的应用。例如,利用In_0.5(Al_xGa_(1-x))_0.5P合金的宽带隙和形成双异质结构的性能,可制成短波长激光器和发光二极管;

关 键 词：有序结构 超晶格 四元合金 半导体 

分 类 号：TG131[一般工业技术—材料科学与工程]