一种简单的S参数去嵌入技术  

An Easy Technique for S Parameters De-embedding

作　　者：陈松麟[1] 梁世光[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海天文台

出　　处：《微波学报》2004年第3期58-61,共4页Journal of Microwaves

摘　　要：介绍了在低成本夹具上 ,任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法 ;该方法用于获取放大器模块的S参数 ,根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。An easy technique to de-embed the S-parameters of an arbitrary microstrip two -port is introduced. The technique is applied to acquire the S-parameters of a n amplifier block, and based on these parameters, a C-band amplifier has been de signed. The measurement of the amplifier matches the simulation.

关 键 词：S参数 夹具效应 去嵌入技术 放大器 夹具 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]