ICP-AES法测定4N荧光级Eu2O3标准物质中酸溶Si  

作　　者：刘虎生[1] 

机构地区：[1]核工业北京化工冶金研究院

出　　处：《理化检验（化学分册）》1993年第6期371-371,共1页Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis)

摘　　要：钼蓝光度法是测定硅的经典方法,其精密度好,灵敏度高,至今仍广泛应用于各种基体中痕量硅的测定。国家标准局1988年发布的荧光级Y2O3中Si的测定方法就是采用钼蓝光度法。ICP-AES法具有检出能力好,基体效应小,精密度高,动态范围宽,自吸收效应和背景小等优点,近年来得到越来越多的分析化学工作者的重视。ICP-AES法分析高纯稀土氧化物中稀土杂质和非稀土杂质的工作,国内外均有报道,但用ICP-AES法测定高纯稀土氧化物中Si尚未见报道。本法采用特制炬管（该管已向中国专利局申请专利）避免硅线发射,直接用ICP-AES法测定4N荧光级Eu2O3中Si,2mg·ml-1Eu2O3样品液测定下限为3μg·g-1,回收率98%～104%,RSD<±10%。本法简便、快速、灵敏、准确。

关 键 词：ICP-AES 三氧化二铕 硅 

分 类 号：O614.338[理学—无机化学]