Ab Initio Calculation of Vacancies and Interstitials in NiSi2  

作　　者：汪涛 戴永兵 欧阳斯可 吴建生 

机构地区：[1]ResearchInstituteofMicro/NanoScience&Technology,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200030 [2]SchoolofMaterialsScienceandEngineering,Shanghai3iaoTongUniversity,Shanghai200030

出　　处：《Chinese Physics Letters》2004年第11期2163-2166,共4页中国物理快报（英文版）

分 类 号：O562[理学—原子与分子物理]