Raman Analysis of 30 MeV C_(60) Irradiated N-doped Carbon  

作　　者：WangZhiguang A.Dunlop ZhaoZhiming SongYin JinYunfan ZhangChonghong LiuJie SunYoumei 

机构地区：[1]不详 [2]LaboratoiredesSolidesIrradis,CEA,EcolePolytechnique,91128PalaiseauCedex,France.

出　　处：《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版》2003年第1期55-55,共1页IMP & HIRFL Annual Report

基　　金：SupportedbyNSFC(No.10125522,10175084)theChineseAcademyofSciences(Xi-Bu-Zhi-Guang).

摘　　要：In the present work, we used the technique of “low energy ion implantation + swift; heavy ion irradiation ”to investigate huge electronic excitations induced modification in N-doped graphite-like-carbon.

关 键 词：拉曼光谱分析 低能离子 重离子 放射性 电子激发态 

分 类 号：O571.24[理学—粒子物理与原子核物理] O571.6[理学—物理]