氧化钨薄膜变色机理研究  

Studies on chromogenic mechnism of tungsten oxide thin films

作　　者：马创新[1] 周春兰[1] 秦秀波[1] 王宝义[1] 魏龙[1] 奎热西[1] 钱海杰[1] 苏润[1] 钟俊[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所,北京100049

出　　处：《核技术》2004年第12期943-945,共3页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金(No.10275076;10275077)

摘　　要：利用慢正电子束流技术和X射线光电子能谱研究了热致变色和电致变色三氧化钨(WO_3)薄膜中W离子在膜内和表面的分布。结合其变色性能,讨论了热致变色和电致变色之间的相关性。The distribution of tungsten ions, on the surface of and in the thermochromic and electrochromic tungsten oxides(WO_3) thin films, was studied by slow positron beam and X-ray photoelectron spectroscopy. The correlations between thermochromism and electrochromism were discussed on the basis of chromogenic properties of WO_3 thin films.

关 键 词：三氧化钨 热致变色 电致变色 机理 表面 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理] O571.3[理学—物理]