L波段低噪声放大器的设计  

Design of L-Band Low Noise Amplifier

作　　者：赵云[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第54研究所 石家庄 050081

出　　处：《无线电工程》2004年第12期61-63,共3页Radio Engineering

摘　　要：文章阐述了低噪声放大器的一部分主要技术指标,通过对电路设计中应该注意的诸多要点分析了此类高频微带电路的复杂结构和形式,介绍了利用微波工作室软件,对GaAs场效应管S参数中增益和噪声系数等参数进行了分析并设计了两级低噪声放大器,并对电路进行模拟和优化,通过电路调试,软件修正,得到最终电路设计,从最终的测试结果可以看出该放大器具有良好的射频性能,已经达到了预定的技术指标。

关 键 词：低噪声放大器 L波段 射频性能 噪声系数 电路设计 微带电路 场效应管 软件修正 复杂结构 测试结果 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统] TN929.53