SnO_2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性  

Electrical Transport Properties in Small Area of Nanometer Oxide SnO_2

作　　者：张忠锁[1] 赵伟 陈艳辉[1] 李蕴才[1] 黄亚彬[1] 杜祖亮[1] 

机构地区：[1]河南大学河南省特种功能材料重点实验室,河南开封475001 [2]开封市技术监督检验测试中心,河南开封475002

出　　处：《郑州大学学报（理学版）》2004年第4期23-27,共5页Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition

基　　金：河南省自然科学基金资助项目;编号 2 110 610 0 0;河南大学科研基金资助项目;编号 XK0 3 YDWL 10 3

摘　　要：将 sol- gel方法制备的 Sn O2 纳米颗粒涂覆在 ITO(Indium- Tin- Oxide)导电玻璃上 ,用原子力显微镜的 I- V测试功能测试其微区电特性 .结果表明 ,不同粒度的伏 -安特性曲线具有不同的双向阈值电压 ,随颗粒度的减小 ,开启电压减小 .用表面能带理论分析结果表明 ,此现象与纳米 Sn O2 颗粒度尺寸效应和氧空位有关 .Small area I-V characteristic of nanosized SnO 2 particles prepared by sol-gel method is studied. It is found that the I-V characteristic curve of nanosized SnO 2 have vary different region voltage with different particles size. The surface energy bend theory is used to analyze the I-V characteristic of nanosized SnO 2 and it should be related to the particles size effect and oxygen vacancy.

关 键 词：电子输运 SNO2 纳米半导体 sol-gel方法 能带理论 导电玻璃 氧空位 开启电压 阈值电压 ITO 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] O484.4[理学—固体物理]