包裹体对KDP晶体光损伤阈值的影响  

Effect of Inclusions on Laser Damage of KDP Crystals

作　　者：孙洵[1] 张艳珍[1] 高顺清[2] 顾庆天[1] 李云南[1] 王圣来[1] 许心光[1] 李毅平[1] 高樟寿[1] 房昌水[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]河南天方药业股份有限公司,河南463000

出　　处：《压电与声光》2004年第6期485-487,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家"八六三"计划基金资助项目(59823003);159823003山东自然科学基金资助项目(03BS063)

摘　　要：　探讨了包裹体与KDP晶体光损伤阈值的关系。利用透射电子显微技术观察了不同条件下生长的KDP晶体中包裹物,并对晶体中的包裹体在热退火前后进行了比较。发现导致KDP晶体光损伤阈值降低的主要因素是较大尺寸的包裹体。The inclusions in KDP crystals grown with different methods were detected with TEM (transmission electron microscopy). The inclusions were compared after thermal annealing. The result showed that the inclusions with larger dimension is the key reason of lowering of laser damage threshold of KDP crystal.

关 键 词：KDP晶体 包裹体 透射电子显微技术 光损伤阈值 热退火 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学]