Bi_2O_3添加剂对Ag_2O-Nb_2O_5-Ta_2O_5介电性能的影响  

Effect of Bi_2O_3 Dopants on the Dielectric Properties ofAg_2O-Nb_2O_5-Ta_2O_5 Ceramic System

作　　者：于韶洁[1] 吴霞宛[1] 陈长庆[1] 李玲霞[1] 王洪儒[1] 张志萍[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072

出　　处：《压电与声光》2004年第6期491-493,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：以Bi2O3为添加剂,研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段,研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。The dielectric properties of Ag_2O-Nb_2O_5-Ta_2O_5 ceramic system can be improved by the additive of Bi_2O_3. By XRD diffraction and SEM scan, the effect of the additive of Bi_2O_3 on micro structure was researched.

关 键 词：Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统 介电性能 BI2O3 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程]