检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:程旭[1] 汤庭鳌[1] 钟宇[1] 王晓光[1] 康晓旭[1]
机构地区:[1]复旦大学微电子学系
出 处:《固体电子学研究与进展》2004年第4期427-431,共5页Research & Progress of SSE
基 金:科技预研项目 (J82 .2 .3 );国家自然科学基金项目 (698760 0 8)资助
摘 要:根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电路进行了设计和仿真 ,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法。最后 ,提出了非挥发FPGA的概念 ,为非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型。According to the conception of non-volatile,we analyzed the necessary conditions for non-volatile logic.On the basis of the similarity between the way of logic states existing in circuits and the structure of 2T/2C FeRAM,we proposed the principle of a non-volatile logic based on ferroelectric capacitors,which is called Ferroelectric Non-Volatile Logic(FeNVL).Taking the CMOS D flip-flop as an example of realization method of FeNVL,we designed and simulated the non-volatile D flip-flop cell and its peripheral circuits.Last but not the least,we put forward the conception of non-volatile FPGA as an application prototype of FeNVL in digital systems.
关 键 词:铁电非挥发逻辑(FeNVL) 互补金属氧化物半导体D触发器 非挥发现场可编程门阵列
分 类 号:TN702[电子电信—电路与系统]
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