TIPbI和掺杂TIPbI_3晶体的光电特性  

Photoelectric Properties of doped-Gul(Agl,Cal_3)and Undoped TIPbl_3 Crystals

作　　者：陈福泉[1] 翟励强 林樽达[1] 吴汝佳[2] 吴作良[2] 

机构地区：[1]中国科学院广州电子技术研究所,广州510070 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《人工晶体学报》1993年第1期21-26,共6页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学委员会资助

摘　　要：本文通过化学分析法和光电导法研究杂质对 TlPbI_3晶体光电导谱和内光电效应的影响。实验表明,钝 TlPbI_3晶体的本征光敏峰波长在515～532nm 之间;杂质 AgI、CuI、GaI_3等使光电导峰波长移到540～580nm;晶体的光敏性和导电机理受其组成的影响,符合化学计量比组成的晶体的电导率最小,偏离化学计量比使晶体的电导率增大;而光电导率的影响不明显;杂质促进晶体形成非化学计量比组成,由此产生不同的缺陷导致同一种杂质既可产生 n 型导电也可产生 p 型导电;这些杂质只使晶体的光敏性达到10~3。The effect of impurities on photoconductive spectra and photo-electric properties of TIPbI_3 crystals were studied by photoconductive methodcoupled with chemical analysis.The experiments show that inherent photosen-sitivity spik wavelength 515～532nm for the undoped crystals and extrensicspectral response wavelength 540～580nm for CuI,AgI,and GaI_3-doped TlPbI_3crystals.The deviation from stoichiometric composition have an effect on thephotoelectric properties and conductive mechanism.The impurities promotesthe formation of nonstoichiometric composition and imperfections,and creasesextrensic photosensitivity 10~3.

关 键 词：TIPbl3 晶体 光电晶体 铊 

分 类 号：O614.373[理学—无机化学]