Mg_2SiO_4∶Ti的单晶生长和Ti的价态研究  

Growth of Mg_2SiO_4:Ti Single Crystals and Study of Ti Valency

作　　者：姜小波[1] 姜彦岛[1] 夏鸿昶 陈应平[1] 王祖崙 刘海润[1] 万军[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080 [2]北京科技大学测试中心

出　　处：《人工晶体学报》1993年第3期221-224,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道了用感应加热提拉法生长 Mg_2SiO_4∶Ti 单晶时,生长参数特别是生长气氛和掺杂电荷补偿对晶体生长和 Ti 的价态的影响。用 X 射线光电子技术分析并讨论了 Ti 离子的变价问题。Single crystals of Mg_2SiO_4:Ti were grown by Czocharalski method.The in-fluences of growth parameters,especial by growth and charge compensation on crystalgrowth and Ti valency analysied by X-ray photoelectron spectra,is discussed.

关 键 词：镁橄榄石 引上法 晶体生长 钛 

分 类 号：O782.9[理学—晶体学]