检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张红辉[1] 廖昌荣[1] 陈伟民[1] 黄尚廉[1]
机构地区:[1]重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044
出 处:《功能材料与器件学报》2004年第4期493-497,共5页Journal of Functional Materials and Devices
基 金:国家自然科学基金重点项目(No.50135030);重庆市院士基金项目(No.027754)
摘 要:针对磁流变阻尼器的典型磁路结构,阐述了磁流变阻尼器的磁路设计原理,并针对实例进行了设计计算,提出了避免设计中遇到的磁饱和现象的方法。利用ANSYS软件进行了有限元分析,表明了有限元方法在磁流变阻尼器磁路设计中的应用价值。Aiming at the typical magnetic path s tructure,the design principle of th e magnetic path was discussed,an example of the design method to avoid the magnetic saturation was put forward.And the magnetic saturation was analyzed by the ANSYS FEM.The results show that t he FEM method is valua -ble in the magnetic design of the magn eto -rheological dampers.
分 类 号:TM27[一般工业技术—材料科学与工程]
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