散斑二次曝光干涉法测量复合材料的形变  

作　　者：高明娟[1] 赵志敏[1] 庄显忠[1] 郭林峰[1] 王润涛[1] 

机构地区：[1]南京航空航天大学理学院，江苏南京210016

出　　处：《光电子技术与信息》2004年第6期104-104,共1页Optoelectronic Technology & Information

摘　　要：提出了一种测量复合材料形变的方法．用散斑二次曝光干涉上记录复合材料形变的信息，利用CCD及图像处理技术测量干涉条纹间距，从而得出复合材料的形变量．测量精度达到10μm，实验结果表明该方法对于复合材料形变的测量有效、精度高．

关 键 词：光干涉 散斑 干涉条纹 形变 实验结果 记录 图像处理技术 复合材料 曝光 CCD 

分 类 号：TN958.98[电子电信—信号与信息处理] O436.1[电子电信—信息与通信工程]