检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:金克新[1] 陈长乐[1] 王永仓[1] 赵省贵[1] 任韧[1] 袁孝[2] 宋宙模[1]
机构地区:[1]西北工业大学理学院应用物理系,陕西西安710072 [2]华中科技大学激光技术国家重点实验室,湖北武汉430074
出 处:《功能材料》2005年第1期37-39,共3页Journal of Functional Materials
基 金:国家自然基金资助项目(60171043);陕西省自然基金资助项目(2001C21);西北工业大学博士生创新基金资助项目(2003323)
摘 要:采用射频磁控溅射法制备了 Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3 Sr2/3)1/3 MnO3 (LCSMO)薄膜。电阻率 温度特性表明,薄膜在 387K时发生铁磁金属相 顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在 180,230 和 280K温度下的伏安特性,表明所制备的薄膜具有负阻效应,并分析了产生该现象的原因。Double-doped perovskite thin film of La2/3 (Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3 (LCSMO) has been prepared with RF magnetron sputtering method. We have observed a metal-to-insulator (M-I) transition in this film at 387 K as increasing its temperature. The voltage-current characteristics of the film at 180 K, 230 K and 280 K indicate that the thin film has the negative resistance effect. These phenomena were qualitatively explained by the double exchange model and the Jahn-Teller effect.
关 键 词:钙钛矿结构 负阻效应 双交换作用 小极化子 Jahn Teller效应
分 类 号:TM271[一般工业技术—材料科学与工程] O51[电气工程—电工理论与新技术]
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