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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:朱春毅[1] 张胜民[1] 李崇坚[2] 王成胜[1] 段巍[1] 王鹏[1] 成小瑛[1]
机构地区:[1]北京金自天正智能控制股份有限公司,北京100071 [2]冶金自动化研究设计院,北京100071
出 处:《电力电子》2004年第5期43-46,共4页Power Electronics
摘 要:IGCT元件的结构特点使其在高电压和大电流范围具有优越的性能,而IGCT元件的驱动和元件的高度集成化又使其使用很方便。使用IGCT元件的三电平电路结构在高压大功率变流器中得到广泛的应用。本文总结了IGCT变流器逆变部分目前国内外使用的拓扑结构,并在理论分析及仿真试验的基础上,设计了高压IGCT 三电平变流器。对IGCT元件及变流器系统进行试验,并检验该变流器的工作性能。试验结果表明,该变流器达到了设计要求,具有良好的性能。The design feature of the IGCTs makes them have excellent performance in high-voltage and high-current field.And the high integration of the drive and the device makes it very convenient to use them. The three-level circuit structure with IGCTs is widely used in high-voltage and large power converters now. In this paper,the main topological structures used presently in the inverters are analyzed.Based on the theory analysis and the system simulation,a high -voltage three -level converter with IGCTs is designed.With the experiment of IGCT devices and the converter system, the working performance of the converter is verified.The experimental results show that the converter reaches the design requirement and has excellent performance.
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