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出 处:《宇航计测技术》2004年第6期41-44,共4页Journal of Astronautic Metrology and Measurement
摘 要:设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃~ 15 0℃和4 5V~ 5 5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0 13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低。A design of CMOS bandgap voltage reference (BGR) with high PSRR and low power dissipation is described. The cascode current mirror is used in the circuit, and the output of the OPAMP is used for the bias of itself and to drive the next stage. CSMC 0.6 μm 2 layers n-well CMOS mixture signal model and Cadence Spectre tool are used for simulation. The simulation results show that the output voltage varies lower than 1.6 mV and 0.13 mV with temperature range of -50℃ to 150℃ and the supply voltage range from 4.5 V to 5.5 V respectively. The low frequency PSRR is higher than 75 dB and the maximum supply current is 10 μA with the 5 V supply. This circuit is adapted for low power, high stability integrated temperature sensors.
关 键 词:带隙基准电压源 低功耗 CMOS 偏置电路 电流镜 电源抑制比 运放 集成温度传感器 显示 输出
分 类 号:V271[航空宇航科学与技术—飞行器设计] TN722[电子电信—电路与系统]
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