二硼化物GdB_2和TbB_2的电子结构研究  

Study of Electronic Structure of the Borides GdB and TbB

作　　者：韩丽君[1] 柴永泉[1] 

机构地区：[1]廊坊师范学院物理系,河北廊坊065000

出　　处：《廊坊师范学院学报》2004年第4期57-58,共2页Journal of Langfang Teachers College

基　　金：廊坊师范学院科学研究重点资助项目;项目编号:LSZZZ200301.

摘　　要：使用准确的第一原理方法,对二硼化物GdB2和TbB2进行了电子结构比较研究,总结了二硼化物电子结构随体积的变化规律,为进一步的压力实验研究提供理论参考.An accurate first-principle density-functional method is used to calculate the borides GdB and TbB. Their DOS is compared each other and their dependence on cell volumes is made clear. The results may be theoretically helpful to further pressure experiment.

关 键 词：硼化物 态密度 能带 高压 

分 类 号：O441.1[理学—电磁学]