衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计  

Analysis of Bulk-Driven MOSFET and Design of Ultra-Low Voltage Operational Amplifier

作　　者：尹韬[1] 朱樟明[1] 杨银堂[1] 郭磊[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期158-162,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 2 0 70 2 2 )~~

摘　　要：讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性 ,并对其低压特性进行了分析和仿真 .基于PMOS衬底驱动技术 ,设计实现了超低压运算放大器 .在 0 8V电源电压下 ,运算放大器的直流开环增益为 74dB ,相位裕度为 6 6° ,失调电压为 94 0 μV ,输出电压范围为 110～ 798mV .The fundamental principles of the bulk-driven MOSFET,along with the frequency and noise characteristics,are discussed.The analysis and simulation of its low voltage characteristics are also made.Based on the PMOS bulk-driven technique,an ultra-low voltage operational amplifier is proposed.With 0.8V power supply,the dc open-loop gain of the amplifier is 74dB,the phase margin is 66° and the input offset voltage is 940μV with 110～798mV output voltage swing.

关 键 词：超低压 衬底驱动 运算放大器 CMOS 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]