Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律  

Study on Al_(0.98)Ga_(0.02)As Wet Oxidation

作　　者：董立闽[1] 郭霞[1] 渠红伟[1] 杜金玉[1] 邹德恕[1] 廉鹏[1] 邓军[1] 徐遵图[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期197-201,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 3 3和 6988960 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 70 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 2 );北京市自然科学基金 (批准号 :40 2 10 0 1)资助项目~~

摘　　要：为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。The kinetics of Al 0.98Ga 0.02As wet oxidation processs is investigated in cylindrically symmetric mesa structure.Firstly,the classic Deal-Grove model is used to analyze the oxidation of 1D structure ,then is extended to a novel model which suits 2D cylindrical structure.The simulated data using the novel formulation is in close agreement with the experiment data.A rapid increase in oxidation rate when the unoxidized region becomes very small is mentioned.The precision of the oxidized thickness could be controlled under 0.5μm.

关 键 词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]