空穴传输层厚度对双层有机发光二极管性能的影响  

作　　者：瞿述[1] 李宏建[1] 戴国章[1] 黄永辉[1] 何英旋[1] 彭景翠[1] 

机构地区：[1]湖南大学应用物理系

出　　处：《湘潭师范学院学报（自然科学版）》2005年第1期69-72,共4页Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition)

基　　金：湖南省杰出青年科学基金 ( 0 3JJY10 0 8);中国博士后科学基金 ( 2 0 0 40 3 5 0 83 )

摘　　要：建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。基于ITO|PEDOT/PSS作为空穴注入电极的双层有机发光器件ITO|PEDOT/PSS|TAPB|Alq3|Mg :Ag|,采用较合理的无序跳跃模型来处理界面问题 ,数值计算并讨论了空穴传输层厚度的变化对器件性能的影响。结果表明 :器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布 ,从而影响载流子的注入。

关 键 词：有机发光二极管 传输层 双层 载流子 ALQ3 器件性能 注入 层厚 影响 穴注 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学] TN312.8