电子与高电荷离子碰撞的细致能级电离截面的相对论计算  被引量:2

Relativistic Calculation in detail level for electron-impact highly-charged ions ionization cross sections

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作  者:陈重阳[1] 史习珩[1] 王炎森[1] 

机构地区:[1]复旦大学现代物理研究所,上海200433

出  处:《原子与分子物理学报》2005年第1期26-29,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics

基  金:国家自然科学基金 (项目号 1 0 1 0 40 0 5 );高技术惯性约束聚变主题;原子分子数据研究联合体的资助课题

摘  要:电子离子碰撞电离的细致能级截面在X射线激光等需要确定能级布居数的高技术研究中有非常重要的意义。本文给出了在全相对论框架下利用扭曲波波恩交换近似计算细致能级电离截面的方法。作为示例 ,计算了若干高电荷离子细致能级的电离截面 ,并分析了组态相互作用的影响。计算结果与其它理论值进行了比较 。The detailed electron-impact ion ionization cross sections are very useful for high technology research, such as x-ray research. In this work, a distorted-wave Born exchange approximation method within fully relativistic frame is presented. For example, the detail level ionization cross sections for some highly-charged ions are calculated. In addition, the effect of configuration-interaction are discussed. Good agreement is obtained when the present calculted results are compared with other calculation.

关 键 词:电子离子碰撞电离 细致能级电离截面 相对论扭曲波波恩交换近似 

分 类 号:O562.5[理学—原子与分子物理]

 

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