紫外半导体电致发光器件研究进展  

Progress of UV Semiconductor Electroluminescence Devices

作　　者：岑继文[1,2] 何明兴[1,3] 李新军[1] 王良焱[1] 

机构地区：[1]中国科学院广州能源所 [2]中国科学院研究生院,北京100039 [3]攀钢集团攀枝花钢铁研究院,攀枝花617000

出　　处：《材料导报》2005年第1期90-92,96,共4页Materials Reports

基　　金：广东省自然科学基金(32708)

摘　　要：概述了紫外半导体电致发光器件的发展历史、现状、趋势及其应用,详述了国内外近两年对 AlGaN 基半导体电致发光器件的研究进展。In this article,the development and important applications of secomductor EL devices are briefly introduced,and the progress in improving AlGaN-based LED performance in last two years are discussed in detail.

关 键 词：电致发光器件 半导体 紫外 研究进展 现状 国内外 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN383[电子电信—物理电子学]