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机构地区:[1]华中师范大学物理系,武汉430070 [2]武汉工业大学
出 处:《天体物理学报》1993年第1期34-42,共9页
基 金:中国科学院科学基金
摘 要:本文研究包含正负电子对的双温吸积盘,正负电子对是通过非热的级联过程产生的.结果表明,对于轫致辐射盘和轫致辐射康普顿化盘,都存在一个临界吸积率.当吸积率小于临界吸积率时,盘结构有唯一的稳态解,大于临界吸积率则没有稳态解.我们求得了轫致辐射康普顿化盘的临界吸积率与α和ε_e的关系曲线.对于轫致辐射盘,电子对的影响可以忽略;而对于轫致辐射康普顿化盘,电子对的密度可达10^(-2)~10~3,电子对对盘的结构和光谱都有很大的影响.The two-temperature accretion disk includ ng the effects of nonthermal electron-position production is investigated in this paper. The results show that both bremsstrahlung disk and comptonized bremsstrahlung disk have a critical accretion rate beyond which equilibrium is not possible. There is one solution for disk structure if the rate is lower the the critical rate. We obtain the curves which ralate the critical rate of comptonized bremsstrahlung disk TO α and E. For bremsstrahlung disk, the effects of pairs are not important. However, for comptonized bremsstrahlung disk, pair density could reach 10-2-103, pairs can significantly alter the disk structure.
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