泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响  

The Effect of Wall Injection of Teflon Ablating Material on Electron Number Density

作　　者：石于中[1] 王毛彦[1] 尹乐[1] 陈伟芳[1] 

机构地区：[1]国防科技大学航天与材料工程学院,湖南长沙410073

出　　处：《国防科技大学学报》2004年第6期30-33,共4页Journal of National University of Defense Technology

摘　　要：采用WNND格式,对有泰氟隆烧蚀产物引射的化学非平衡NS方程进行了数值模拟。采用7组元纯空气化学反应和19组元、28种反应的空气—泰氟隆化学反应系统,对照计算了壁面有泰氟隆烧蚀产物引射和纯空气绕流两种流场,研究了泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响。The chemical non-equilibrium flows over a teflon ablative wall are calculated numerically by solving NS equations with pure-air and teflon-air chemical reaction system. The overall teflon-air chemical system used consists of 19 species and 28 reactions. The effect of wall injection of teflon ablating material on electron number density are discussed.

关 键 词：烧蚀 化学非平衡 数值计算 

分 类 号：V211.4[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]