磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究  

Studies of vanadium pentoxide thin films prepared by R.F. magnetron sputtering methods

作　　者：李志栓[1,2] 吴孙桃[3] 李静[3] 郭东辉[1,2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系 [2]厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005 [3]厦门大学萨本栋微机电研究中心

出　　处：《功能材料》2005年第2期285-287,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：福建省自然科学基金资助项目(E0110004);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90206039);国家重点基础研究发展规划资助项目(001CB610505)

摘　　要：采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试与分析,旨在得出制备良好的V2O5 薄膜的条件。Vanadium oxide thin film samples were prepared by R.F. magnetron sputtering methods in different conditions. The samples were annealed at different temperatures. The thin film samples before and after annealing were all studied with XRD, XPS and laser scanning confocal microscope, in order to find the conditions preparing good V2O5 films.

关 键 词：射频磁控溅射 氧化钒薄膜 XRD XPS 激光扫描共焦显微镜 

分 类 号：TQ135.1[化学工程—无机化工]