Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究  

Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films

作　　者：白宣羽[1] 汪渊[1] 徐可为[1] 

机构地区：[1]西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安710049

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第2期259-262,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金重点项目(59931010)

摘　　要：采用磁控溅射方法在 Si(111)基片上沉积 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N 的电阻率,同时比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和 Ta,TaN 的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。Cu-Zr/ZrN films are prepared on Si(111)wafers by magnetron sputtering deposition. The. resistivity of Cu-Zr/ZrN and amorphous'(Mo, Ta, W) -Si-N thin film and the hardness of Cu-Zr/ZiN and Ta TaN thin films were compared. The results show that good diffusion barrier layer should be the film that has good comprehensive performance instead of thermal stability only.

关 键 词：非晶 电阻率 纳米压入 硬度 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]