超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的研究  

作　　者：万天才 

出　　处：《微电子学》1993年第5期23-26,共4页Microelectronics

摘　　要：本文介绍了超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的设计和工艺技术。采用0.6μm设计规则和多晶硅发射极-基极自对准双极技术,设计制作的双模(÷64/65,÷128/129)预置分频器,在3mW(电源电压为3V)的极低功耗下,工作频率在1000MHz以上。

关 键 词：分频器 预置分频器 功率损耗 

分 类 号：TN772[电子电信—电路与系统]