氮化铝孔状材料的溶液法合成及其光致发光  

Solution Synthesis and Photoluminescence of Porous AlN Materials

作　　者：陆红霞[1] 曹洁明[1] 马贤佳[1] 侯海涛[1] 冯杰[1] 徐国跃[1] 

机构地区：[1]南京航空航天大学材料科学与技术学院纳米材料研究所,江苏南京210016

出　　处：《电子元件与材料》2005年第3期51-53,共3页Electronic Components And Materials

基　　金：江苏省自然科学基金资助项目(BK2002414)

摘　　要：在低温常压下,以液相法直接合成了氮化铝孔状材料.通过一系列的表征对其形貌和光学性能作了简要的分析.实验结果表明:合成的氮化铝孔状材料立方相和六方相同时存在;其孔径为200～800 nm;比表面积为170 m2·g-1;在样品的PL谱中,在475 nm处的一个强的发射峰是由氮空位引起的,在550 nm处的宽而弱的峰是由AlN本征缺陷和颗粒的表面效应引起的.Porous AlN materials were synthesized by a wed chemical route at atmospheric pressure. Morphology and property were analyzed by a series of testing method. The results of measure on the samples indicated that the sample is a mixture of cubic and hexagonal AlN. The diameter of the sample about 200~800 nm and a BET surface area of 170 m2·g–1. The photoluminescence spectrum of porous AlN materials is composed of a rather intense peak at 475 nm and a broad weak peak at 550nm.

关 键 词：半导体材料 氮化铝 多孔 合成 致发光 

分 类 号：O612.3[理学—无机化学] TQ174.1[理学—化学]