多孔硅内部残余应力的研究  

Studies of Residual Stress in Porous Silicon

作　　者：田斌[1] 胡明[1] 崔梦[1] 雷振坤[2] 亢一澜[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系,天津300072 [2]天津大学机械学院力学系,天津300072

出　　处：《压电与声光》2005年第1期47-49,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60071027;60371030);天津市自然科学基金资助项目(023603811)。

摘　　要：多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加。正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象。A large tension stress is formed in the formation of porous silicon which can reach 0.92 GPa in the middle of the microcrack. This stress make the microcracks at the brittle crystal boundaries and the porous silicon is formed between these microcracks. With the increasing of time, the porosity of porous silicon also increases. And the tensile stress become larger and larger. That is this residual make the appearance of the crack phenomenon.

关 键 词：多孔硅 化学刻蚀 孔隙率 残余应力 微裂纹 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]